5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.1 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.05 µA |
| 标称共模抑制比： | 85 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 4000 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 4.9 mm |
| 低-偏置： | NO | 低-失调： | NO |
| 微功率： | YES | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 包装方法： | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 功率： | NO |
| 电源： | 5 V | 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | AEC-Q100 |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 最小摆率： | 0.3 V/us |
| 标称压摆率： | 0.6 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 1.2 mA | 供电电压上限： | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 标称均一增益带宽： | 1100 kHz |
| 最小电压增益： | 25000 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LM358AWYPT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
|
| LM358AWYST | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 1.1MHz BAND WIDTH, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8 |
|
| LM358AYPT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power dual operational amplifiers |
|
| LM358B | TAITRON |
获取价格 |
Dual Low Offset Operational Amplifier |
|
| LM358B | TI |
获取价格 |
Industry-Standard Dual Operational Amplifiers |
|
| LM358B | UTC |
获取价格 |
运算放大器 |
|
| LM358BA | TI |
获取价格 |
Industry-Standard Dual Operational Amplifiers |
|
| LM358BAIDDFR | TI |
获取价格 |
单路、36V、1.2MHz、2mV 失调电压运算放大器 | DDF | 8 | -40 t |
|
| LM358BAIDGKR | TI |
获取价格 |
单路、36V、1.2MHz、2mV 失调电压运算放大器 | DGK | 8 | -40 t |
|
| LM358BAIDR | TI |
获取价格 |
Industry-Standard Dual Operational Amplifiers |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
