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LM358AD-T

更新时间: 2024-11-18 19:57:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 121K
描述
IC DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SO-8, Operational Amplifier

LM358AD-T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB):0.2 µA
标称共模抑制比:85 dB最大输入失调电压:5000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:4.9 mm
负供电电压上限:标称负供电电压 (Vsup):
功能数量:2端子数量:8
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
标称压摆率:0.3 V/us子类别:Operational Amplifier
供电电压上限:32 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BIPOLAR
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
标称均一增益带宽:1000 kHz宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

LM358AD-T 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
NE/SA/SE532  
LM258/358/A/2904  
Low power dual operational amplifiers  
Product data  
2002 Jul 12  
Supersedes data of 2002 Jan 22  
Philips  
Semiconductors  

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