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LM1MA141WAT1G

更新时间： 2024-10-02 05:41:59
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
Common Anode Silicon Dual Switching Diode

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LM1MA141WAT1G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.15 W最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.01 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

LM1MA141WAT1G 数据手册

 浏览型号LM1MA141WAT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LM1MA141WAT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Common Anode Silicon  
Dual Switching Diode  
This Common Anode Silicon Epitaxial Planar Dual Diode is designed for use  
in ultra high speed switching applications. This device is housed in the SC–70  
package which is designed for low power surface mount applications.  
LM1MA141WAT1G  
LM1MA142WAT1G  
SC-70/SOT-323 PACKAGE  
COMMON ANODE  
DUAL SWITCHING DIODE  
40/80 V-100 mA  
z
• Fast trr, < 10 ns  
• Low C , < 15 pF  
z
D
z We declare that the material of product  
compliance with RoHS requirements.  
SURFACE MOUNT  
3
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
1
LM1MA141WAT1G  
LM1MA141KWA3G  
SOT-323/SC-70  
SOT-323/SC-70  
3000/Tape&Reel  
10000/Tape&Reel  
2
CASE 419–04, STYLE 4  
SOT–323 /SC – 70  
LM1MA142WAT1G  
LM1MA142WAT3G  
SOT-323/SC-70  
SOT-323/SC-70  
3000/Tape&Reel  
10000/Tape&Reel  
ANODE  
3
DEVICE MARKING  
LM1MA141WAT1G = MN LM1MA142WAT1G=MO  
1
2
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
CATHODE  
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol Value  
Unit  
LM1MA141WAT1G  
LM1MA142WAT1G  
V
R
40  
80  
Vdc  
Marking Symbol  
MNX  
Type No.141WA142WA  
Symbol MN MO  
Peak Reverse Voltage  
Forward Current  
LM1MA141WAT1G VRM  
LM1MA142WAT1G  
40  
Vdc  
80  
The “X” represents a smaller alpha digit Date  
Code. The Date Code indicates the actual month  
in which the part was manufactured.  
Single  
Dual  
IF  
100  
150  
225  
340  
500  
750  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
Single  
Dual  
IFM  
(1)  
Single  
Dual  
IFSM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Symbol  
PD  
Max  
150  
150  
Unit  
mW  
°C  
Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
Tstg  
–55 ~ +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Condition  
Min  
—
Max  
0.1  
0.1  
1.2  
—
Unit  
Reverse Voltage Leakage Current LM1MA141WAT1G IR  
LM1MA142WAT1G  
VR = 35 V  
µAdc  
V = 75 V  
R
—
Forward Voltage  
VF  
IF = 100 mA  
—
Vdc  
Vdc  
Reverse Breakdown Voltage  
LM1MA141WAT1G V  
IR = 100 µA  
40  
80  
—
R
LM1MA142WAT1G  
—
Diode Capacitance  
Reverse Recovery  
CD  
VR=0, f=1.0 MHz  
IF=10mA,VR=6.0V  
RL=100Ω,Irr=0.1 IR  
15  
pF  
ns  
(2)  
Time  
trr  
—
10  
1. t = 1 SEC  
2. trr Test Circuit  
1/3  
123

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