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Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> LM1458M/NOPB
LM1458M/NOPB PDF预览

LM1458M/NOPB

更新时间： 2024-11-25 12:09:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 845K
描述
Dual Operational Amplifier

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LM1458M/NOPB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.35放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.8 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.5 µA最小共模抑制比：70 dB
标称共模抑制比：90 dB频率补偿：YES
最大输入失调电流 (IIO)：0.2 µA最大输入失调电压：6000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm低-偏置：NO
低-失调：NO微功率：NO
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：70 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TUBE峰值回流温度（摄氏度）：260
功率：NO电源：+-15 V
可编程功率：NO认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm标称压摆率：0.5 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：2.8 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：1000 kHz最小电压增益：15000
宽带：NO宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

LM1458M/NOPB 数据手册

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LM1458, LM1558  
www.ti.com  
SNOSBU4D –APRIL 1998–REVISED MARCH 2013  
LM1458/LM1558 Dual Operational Amplifier  
Check for Samples: LM1458, LM1558  
1
FEATURES  
2
•
•
•
No Frequency Compensation Required  
•
•
•
Low-Power Consumption  
Short-Circuit Protection  
8-Lead TO-99 and 8-Lead PDIP  
Wide Common-Mode and Differential Voltage  
Ranges  
No Latch Up When Input Common Mode  
Range is Exceeded  
DESCRIPTION  
The LM1458 and the LM1558 are general purpose dual operational amplifiers. The two amplifiers share a  
common bias network and power supply leads. Otherwise, their operation is completely independent.  
The LM1458 is identical to the LM1558 except that the LM1458 has its specifications guaranteed over the  
temperature range from 0°C to +70°C instead of −55°C to +125°C.  
Connection Diagram  
Figure 1. TO-99 Package  
(Top View)  
See Package Number LMC (O-MBCY-W8)  
Figure 2. Dual-In-Line Package  
(Top View)  
See Package Number D (R-PDSO-G8) or  
P (R-PDIP-T8)  
These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam  
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
All trademarks are the property of their respective owners.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 1998–2013, Texas Instruments Incorporated  
1234567...12

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LM1458M/NOPB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
LM1458MX/NOPB TI

完全替代

 Dual Operational Amplifier
LM1458M TI

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