5秒后页面跳转
LM111D PDF预览

LM111D

更新时间: 2024-11-22 22:47:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 比较器放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
Voltage comparator

LM111D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT-96, SO-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.68Is Samacsys:N
放大器类型:COMPARATOR最大平均偏置电流 (IIB):0.15 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.01 µA最大输入失调电压:4000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e0
长度:4.9 mm湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-18 V标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
输出类型:OPEN-COLLECTOR封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225电源:+-15 V
认证状态:Not Qualified标称响应时间:200 ns
座面最大高度:1.75 mm子类别:Comparator
最大压摆率:6 mA供电电压上限:18 V
标称供电电压 (Vsup):15 V表面贴装:YES
技术:BIPOLAR温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

LM111D 数据手册

 浏览型号LM111D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LM111D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LM111D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LM111D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LM111D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LM111D的Datasheet PDF文件第7页 
INTEGRATED CIRCUITS  
AU211/LM111/211/311/311B  
Voltage comparator  
Product data  
2003 Sep 30  
Supersedes data of 2001 Aug 03  
Philips  
Semiconductors  

与LM111D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LM111D/883B ETC

获取价格

Analog Comparator
LM111DT STMICROELECTRONICS

获取价格

COMPARATOR, 4000uV OFFSET-MAX, 200ns RESPONSE TIME, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8
LM111D-T NXP

获取价格

暂无描述
LM111E/883 NSC

获取价格

Voltage Comparator
LM111E-MLS ROCHESTER

获取价格

Comparator, 1 Func, 4000uV Offset-Max, 200ns Response Time, BIPolar, CQCC20, LCC-20
LM111E-SMD NSC

获取价格

Voltage Comparator
LM111F PHILIPS

获取价格

Comparator, 1 Func, 4000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14,
LM111FE NXP

获取价格

Voltage comparator
LM111FK TI

获取价格

DIFFERENTIAL COMPARATORS WITH STROBES
LM111FKB TI

获取价格

DIFFERENTIAL COMPARATORS WITH STROBES