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LM108J8/883B

更新时间: 2024-09-27 15:37:19
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美国国家半导体 - NSC /
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描述
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LM108J8/883B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP8,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK频率补偿:NO
最大输入失调电压:3000 µVJESD-30 代码:R-XDIP-T8
JESD-609代码:e0低-失调:NO
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:+-5/+-20 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
子类别:Operational Amplifiers表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

LM108J8/883B 数据手册

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