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LL60P

更新时间： 2023-12-06 20:00:00

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先科 - SWST		肖特基二极管
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2页	135K
描述
肖特基二极管

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LL60P 数据手册

LL60P

Silicon Schottky Barrier Diode

LL-34

Characteristics equivalent to or better than 1N60P

ideal for used in detection or for switching on the

radio, TV, etc.

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Peak Forward Current

I_O

℃

I_FM

150

500

125

Surge Forward Current

Junction Temperature

I_surge

T_j

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward Current

at V_F= 1 V

Forward Voltage

at I_F= 1 mA

I_F

V_F

0.5

0.7

at I_F= 5 mA

Reverse Current

at V_R= 10 V

I_R

µA

Rectification Efficiency

at V_i= 2 Vrms, R = 5 KΩ

1 / 2

Dated: 04/08/2023 Rev: 04

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