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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> LL4148-G
LL4148-G PDF预览

LL4148-G

更新时间： 2024-11-29 03:51:31
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管小信号开关二极管
页数 文件大小 规格书
3页 179K
描述
Small-Signal Switching Diode

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LL4148-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

LL4148-G 数据手册

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Small-Signal Switching Diode  
LL4148-G  
Reverse Voltage:100V  
Forward Current: 150 mA  
Features  
Silicon Epitaxial Planar Diode  
MiniMELF (SOD-80)  
Fast switching diode in MiniMELF case especially suited  
for automatic insertion.  
This diode is also available in other case styles including the  
standard 0603 case with the type designation CDSU4148, the  
standard 0805 case withthe type designation CDSS4148 and  
the standard 1206 case with the type designation CDSN4148  
Mechanical Data  
Case: MiniMELF Glass Case (SOD-80)  
Weight: approx. 0.05g  
Cathode Band Color: Black  
Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VR  
Reverse Voltage  
75  
V
VRM  
IF  
Peak Reverse Voltage  
Forward DC Current at Tamb = 25°C(1)  
100  
200  
V
mA  
Average Rectified Current: Half Wave Rectification with  
Resistive Load at Tamb = 25°C f ³ 50 Hz(1)  
Surge Forward Current at t < 1s and Tj = 25°C  
Power Dissipation at Tamb = 25°C(1)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air(2)  
Thermal Resistance Junction to tie-point  
Junction Temperature  
IF(AV)  
150  
mA  
IFSM  
Ptot  
RèJA  
RqJtp  
Tj  
500  
500  
mA  
mW  
°C/W  
°C/W  
°C  
350  
300  
175  
TS  
Storage Temperature  
–65 to +175  
°C  
Electrical Characteristics (Tj = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min Typ Max Unit  
Forward Voltage  
V
F
I
F
= 10mA  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
25  
5
V
V
R
= 20V  
= 75V  
nA  
Leakage Current  
IR  
V
R
µ
A
VR  
= 20V, T  
= V  
J
= 150°C  
= 0  
50  
4
µA  
pF  
Capacitance  
C
tot  
V
F
R
tp = 0.1µs, Rise time<30ns fp  
= 5 to 100kHz  
Voltage Rise when Switching ON  
(tested with 50 mAForward Pulses)  
V
fr  
—
—
—
—
—
2.5  
4
V
IF  
= 10mA, IR = 1mA,  
Reverse Recovery Time  
trr  
ns  
—
VR  
= 6V, RL = 100Ù  
Rectification Efficiency (See third page  
)
f = 100MHz, VRF = 2V  
0.45  
—
çí  
Notes: (1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
(2) Device mounted on FR4 printed-circuit board  
MDS0209003A  
Page 1  
123

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与LL4148-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LL4148GH ZOWIE

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 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Halogen-free type Lead free product
LL4148GP CHENMKO

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 		Rectifier Diode,
LL4148GS08 TEMIC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
LL4148-GS08 VISHAY

获取价格

 		Fast Switching Diode
LL4148GS18 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-213AA, GLASS, MINIMELF-2
LL4148GS18 TEMIC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
LL4148-GS18 VISHAY

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 		500mW Hermetically Sealed Glass Fast Switching Diodes
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 		500mW High Speed SMD Switching Diode

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