5秒后页面跳转
LL25XB60 PDF预览

LL25XB60

更新时间: 2024-02-14 08:30:21
品牌 Logo 应用领域
新电元 - SHINDENGEN 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 131K
描述
Bridge Diode

LL25XB60 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:600 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流:945 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最大输出电流:3.6 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

LL25XB60 数据手册

 浏览型号LL25XB60的Datasheet PDF文件第2页 
ブリッジダイオード 低V  
F
・低ノイズタイプꢀシングルインライン型  
Bridge Diode  
Low V Low Noise type Single In-line Package  
F
■外形寸法図ꢀOUTLINE DIMENSIONS  
Unit : mm  
Weight:7.1gtyp.)  
Package5S  
LL25XB60  
管理番例)  
Control No.  
4.6±0.2  
3.6±0.2  
品名  
Type No.  
例)  
Date code  
600V 25A  
30±0.3  
C3  
LL25XB600264  
特 長  
●薄型SIPパッケージ  
●低ノイズ・低VF  
●大電流容量  
+
~ ~  
2.5±0.2  
2.2±0.2  
2.7±0.2  
●UL E142422  
●高放熱伝導性  
1.0±0.1  
0.7±0.1  
±0.2  
7.5  
±0.2  
7.5  
10±0.2  
Feature  
Unit : mm  
●Thin-SIP  
●Low Noise・Low VF  
●Large Io  
●UL E142422  
●High Thermal Radiation  
(製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください)  
■定格表 RATINGS  
指定のない場合は  
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings(  
Tc=25℃/unless otherwise specified)  
品 名  
記号  
Symbol  
単位  
Unit  
条 件  
Conditions  
LL25XB60  
TypeNo.  
Item  
保存温度  
Storage Temperature  
Tstg  
-55~150  
V
接合部  
温度  
Tj  
150  
600  
25  
Operation Junction Temperature  
せん頭逆電圧  
Maximum Reverse Voltage  
VRM  
フィン付き  
Tc=113℃  
Ta=25℃  
With heatsink  
出力電流  
Average Rectified Forward Current  
50Hz 正弦波,抵抗負荷  
50Hz sine wave, Resistance load  
IO  
A
フィンなし  
Without heatsink  
3.6  
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj=25℃  
IFSM  
IFSM1  
I2t  
300  
945  
450  
2.5  
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃  
せん頭サージ順 電流  
Peak Surge Forward Current  
A
tp=1msꢀ正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj=25℃  
tp=1ms sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃  
一素子当たりの規格値  
1ms≦t<10msꢀTj=25℃  
電流二乗時間積  
A2s  
kV  
per diode  
Current Squared Time  
一括端子・ケース間,AC1分間印加  
Terminals to Case, AC 1 minute  
絶縁耐圧  
Dielectric Strength  
Vdis  
TOR  
(推奨値:0.5 Nm)  
Recommended torque : 0.5 Nm)  
締め付けトルク  
Mounting Torque  
0.8  
N・m  
指定のない場合は  
●電気的・熱的特性Electrical Characteristics(  
Tc=25℃/unless otherwise specified)  
パルス測定,一素子当たりの規格値  
電圧  
TYP  
MAX  
IF=12.5A,  
VF  
IR  
V
0.87  
0.92  
Pulse measurement, per diode  
Forward Voltage  
パルス測定,一素子当たりの規格値  
Pulse measurement, per diode  
逆電流  
Reverse Current  
MAX  
VR=600V,  
10  
μA  
一素子当たりの規格値  
per diode  
逆回復時間  
Reverse Recovery Time  
MAX  
trr  
3.0  
μs  
1F=0.1A, IR=0.1A,  
接合部  
・ケース間,フィン付き  
MAX  
θjc  
θjl  
θja  
0.8  
Junction to Case, With heatsink  
熱抵抗  
Thermal Resistance  
接合部  
・リード間,フィンなし  
MAX  
5.0  
25  
℃/W  
Junction to Lead, Without heatsink  
接合部  
・ 周  
囲間,フィンなし  
MAX  
Junction to Ambient, Without heatsink  
www.shindengen.co.jp/product/semi/  
112  
J 514-6)  

与LL25XB60相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
LL283RC2 ETC Optoelectronic

获取价格

LL29 JINANJINGHENG SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

获取价格

LL2C100MF090A00CE0 HWE 小型铝电

获取价格

LL2C100MF115A00CE0 HWE 小型铝电

获取价格

LL2C10ME090A00CE0 HWE 小型铝电

获取价格

LL2C150MG090A00CE0 HWE 小型铝电

获取价格