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LL103B

更新时间： 2024-02-05 00:39:27

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		小信号肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	99K
描述
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

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LL103B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.6 V
JEDEC-95代码：	DO-213AA	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	15 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.4 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	20 V	最大反向恢复时间：	0.01 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

LL103B 数据手册

GALAXY ELECTRICAL

LL103A---LL103C

VOLTAGE RANGE: 40 -- 20 V

CURRENT: 400 mW

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

FEATURES

For general purpose applications

MINI-MELF

Metal silicon schottkybarrier device which is protected

bya PN junction guard ring. The low forward voltage

drop and fast switching make it ideal for protection of

MOS devices,steering,biasing and coupling diodes for

fast switching and low logic level applications

Cathode indification

0.4 0.1

3.4 ^+0.3

MECHANICAL DATA

-0.1

Case:JEDEC MINI-MELF

Polarity: Color band denotes cathode end

Weight: Approx. 0.031 gram

ABSOLUTE RATINGS(LIMITING VALUES)

Symbols

UNITS

LL103A

LL103B

LL103C

Peak reverse voltage

V_RRM

P_tot

400¹⁾

Pow er dissipation (Infinite Heat Sink)

Single cycle surge 60Hz sine wave

Forward continuous current

I_FSM

(AV)

200

125

m A

Junction tenperature

T_J

Storage temperature range

-55 ---+ 150

STG

1)Valid provided that leads at a distance of 4mmfromcase are kept at ambient temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Ratings at 25 ambient temperature unless otherw ise specified)

Symbols

V_R

Typ.

Max.

Min.

UNITS

LL103A

LL103B

LL103C

Reverse breakdow n voltage

@ I_R=50 A

Leakage current

@ V_R=50V

LL103A,VR=30V

LL103B,VR=20V

LL103C,VR=10V

5.0

I_R

μA

Forw ard voltage drop @ I _F=20mA

I_F=200mA

0.37

V_F

0.6

Junction capacitance @ V_R=0V,f=1MHz

C_J

t_rr

Reverse recovery time @ I_{F=IR=50mA to 200mA,recover to 0.1 IR}

Thermal resistance junction to ambient air

K/W

R_θJA

250

www.galaxycn.com

Document Number 0265018

BLGALAXY ELECTRICAL

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