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LL103B

更新时间： 2024-02-24 08:12:57
品牌 Logo 应用领域
EIC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES

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LL103B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.25
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JEDEC-95代码：DO-213AAJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：15 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.4 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V最大反向恢复时间：0.01 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

LL103B 数据手册

 浏览型号LL103B的Datasheet PDF文件第2页 
SCHOTTKY BARRIER DIODES  
LL103A - LL103C  
MiniMELF (SOD-80C)  
FEATURES :  
• For general purpose applications  
Cathode Mark  
• The LL103A, B, C series is a metal-on-silicon  
Schottky barrier device which is protected by a  
PN junction guard ring.  
f 0.063 (1.64)  
0.055 (1.40)  
0.019(0.48)  
• The low forward voltage drop and fast switching  
make it ideal for protection of MOS devices,  
steering, biasing and coupling diodes for fast  
switching and low logic level applications.  
• Other applications are click suppression, efficient  
full wave bridges in telephone subsets, and  
blocking diodes in rechargeable low voltage  
battery systems.  
0.011(0.28)  
0.142(3.6)  
0.134(3.4)  
Mounting Pad Layout  
0.098 (2.50)  
Max.  
0.049 (1.25)Min.  
• These diodes are also available in the DO-35 case with  
type designation SD103A, B, C  
0.079 (2.00)Min.  
• Pb / RoHS Free  
0.197 (5.00)  
REF  
MECHANICAL DATA :  
Case: MiniMELF Glass Case (SOD-80C)  
Weight: approx. 0.05g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.)  
Parameter  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
LL103A  
LL103B  
LL103C  
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
30  
20  
IFSM  
PD  
Single Cycle Surge 60 Hz Sine Wave  
Power Dissipation (Infinite Heatsink)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
15  
A
mW  
°C/W  
°C  
400(1)  
300(1)  
Rq  
JA  
TJ  
125  
TS  
Storage temperature range  
-55 to + 150  
°C  
Note: (1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
5
Unit  
Parameter  
Symbol  
VR = 30 V  
LL103A  
LL103B  
LL103C  
-
-
-
-
-
-
-
-
IR  
VR = 20 V  
VR = 10 V  
IF = 20mA  
IF = 200mA  
Reverse Current  
mA  
5
-
5
-
0.37  
0.6  
-
VF  
Forward Voltage Drop  
Diode Capacitance  
V
-
VR = 0 V, f = 1MHz  
IF = IR = 5mA to 200mA  
recover to 0.1IR  
Cd  
Trr  
50  
pF  
ns  
Reverse Recovery Time  
-
10  
-
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 24, 2005  
12

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