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LH8550PLT1G

更新时间： 2024-11-07 12:01:31

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	160K
描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

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LH8550PLT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

LH8550PLT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

LH8550PLT1G

Series

PNP Silicon

FEATURE

ƽHigh current capacity in compact package.

I_C=-1.5A.

ƽEpitaxial planar type.

ƽPNP complement: LH8550

ƽPb-Free Package is available.

SOT–23

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

COLLECTOR

Shipping

Device

Marking

3000/Tape&Reel

LH8550PLT1G

KIO

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

LH8550PLT3G

LH8550QLT1G

LH8550QLT3G

BASE

KIY

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Max

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

-50

- 6

Collector Current-continuoun

-1500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

225

Unit

°C

Total Dissipation Power

P_D

Junction and Storage Temperature

-55 to +150

Rev.B 1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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