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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-56 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 最长访问时间： | 90 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 56 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.19 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LH28F160S5-L | SHARP |
获取价格 |
16 M-bit (2 MB x 8/1 MB x 16) Smart 5 Flash Memories (Fast Programming) |
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| LH28F160S5-L10 | SHARP |
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16-MBIT(2MBx8/MBx16)Smart 5 Flash MEMORY |
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| LH28F160S5-L70 | SHARP |
获取价格 |
16-MBIT(2MBx8/MBx16)Smart 5 Flash MEMORY |
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| LH28F160S5NS-L10 | ETC |
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x8/x16 Flash EEPROM |
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| LH28F160S5NS-L70 | SHARP |
获取价格 |
Flash Memory 16M (2MB 】 8/1MB 】 16) |
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| LH28F160S5R-L10 | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| LH28F160S5R-L70 | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| LH28F160S5T-L10 | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| LH28F160S5T-L70 | SHARP |
获取价格 |
Flash Memory 16M (2MB 】 8/1MB 】 16) |
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| LH28F160S5T-L70A | SHARP |
获取价格 |
Flash Memory 16M (2MB 】 8/1MB 】 16) |
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