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LF444MD/883

更新时间: 2024-11-05 11:07:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
16页 341K
描述
Military-grade, quad, 30-V, 1-MHz, low-power operational amplifier | NAK | 14 | -55 to 125

LF444MD/883 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP14,.3针数:14
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.95放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB):0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.0001 µA最小共模抑制比:70 dB
标称共模抑制比:100 dB频率补偿:YES
最大输入失调电流 (IIO):0.00005 µA最大输入失调电压:10000 µV
JESD-30 代码:R-CDIP-T14JESD-609代码:e0
长度:18.034 mm低-偏置:YES
低-失调:NO微功率:YES
湿度敏感等级:1负供电电压上限:-18 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V功能数量:4
端子数量:14最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP14,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
包装方法:TUBE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
功率:NO电源:+-15 V
可编程功率:NO认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:4.572 mm
标称压摆率:1 V/us子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:0.25 mA供电电压上限:18 V
标称供电电压 (Vsup):15 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED标称均一增益带宽:1000 kHz
最小电压增益:15000宽带:NO
宽度:7.315 mmBase Number Matches:1

LF444MD/883 数据手册

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LF444QML  
LF444QML Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier  
Literature Number: SNOSAO9  

LF444MD/883 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Operational Amplifier, 4 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, WAFER
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