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LF40100M

更新时间: 2024-02-12 19:01:08
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页数 文件大小 规格书
3页 174K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-262VAR

LF40100M 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.27Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:80 V最大漏极电流 (ID):20 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):14 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F4
元件数量:2端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:233 W最小功率增益 (Gp):10 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

LF40100M 数据手册

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