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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP14,.3 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.82 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.008 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0002 µA | 标称共模抑制比： | 100 dB |
| 频率补偿： | YES (AVCL>=5) | 最大输入失调电压： | 13000 µV |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.304 mm | 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | NO | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15/+-20 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 标称压摆率： | 50 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifiers | 最大压摆率： | 10 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 20000 kHz |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LF357J-8 | RENESAS |
获取价格 |
IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC |
|
| LF357M | NSC |
获取价格 |
Series Monolithic JFET Input Operational Amplifiers |
|
| LF357M | TI |
获取价格 |
OP-AMP, 13000uV OFFSET-MAX, 20MHz BAND WIDTH, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 |
|
| LF357MWC | TI |
获取价格 |
OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 20 MHz BAND WIDTH, UUC |
|
| LF357MX | TI |
获取价格 |
IC OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 20 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8, Oper |
|
| LF357N | NSC |
获取价格 |
Series Monolithic JFET Input Operational Amplifiers |
|
| LF357N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LF357N | ROCHESTER |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| LF357N | RENESAS |
获取价格 |
IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,PLASTIC |
|
| LF357N | TI |
获取价格 |
OP-AMP, 13000uV OFFSET-MAX, 20MHz BAND WIDTH, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 |
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