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LF356J

更新时间: 2024-11-22 04:20:31
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美国国家半导体 - NSC 运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
15页 543K
描述
Series Monolithic JFET Input Operational Amplifiers

LF356J 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:14Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.65Is Samacsys:N
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.008 µA标称共模抑制比:100 dB
频率补偿:YES最大输入失调电压:13000 µV
JESD-30 代码:R-GDIP-T14JESD-609代码:e0
长度:19.304 mm低-偏置:YES
低-失调:NO标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:1端子数量:14
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:+-15/+-20 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm标称压摆率:12 V/us
子类别:Operational Amplifier最大压摆率:10 mA
标称供电电压 (Vsup):15 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED标称均一增益带宽:5000 kHz
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

LF356J 数据手册

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