LF256N

更新时间： 2024-11-21 22:47:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		运算放大器
页数	文件大小	规格书
14页	251K
描述
WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LF256N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	PLASTIC, DIP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.81	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0001 µA	标称共模抑制比：	100 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电压：	6500 µV
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
负供电电压上限：	-22 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-20 V
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	+-15/+-20 V	认证状态：	Not Qualified
最小摆率：	7.5 V/us	标称压摆率：	12 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	7 mA
供电电压上限：	22 V	标称供电电压 (Vsup)：	20 V
表面贴装：	NO	技术：	BIPOLAR
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	5000 kHz	最小电压增益：	25000
Base Number Matches：	1

LF256N 数据手册

LF155-LF255-LF355

LF156-LF256-LF356

LF157-LF257-LF357

WIDE BANDWIDTH

SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS

HIGH INPUT IMPEDANCE J-FET INPUT

STAGE

HIGH SPEED J-FET OP-AMPs : up to 20MHz,

50V/µs

OFFSETVOLTAGEADJUSTMENTDOESNOT

DEGRADE DRIFT OR COMMON-MODE

REJECTION AS IN MOST OF MONOLITHIC

AMPLIFIERS

INTERNAL COMPENSATION AND LARGE

DIP8

(Plastic Package)

SO8

DIFFERENTIALINPUTVOLTAGECAPABILITY

(UP TO V_CC

)

(Plastic Micropackage)

TYPICAL APPLICATIONS

PRECISION HIGH SPEED INTEGRATORS

FAST D/A AND CONVERTERS

HIGH IMPEDANCE BUFFERS

WIDEBAND, LOW NOISE, LOW DRIFT

AMPLIFIERS

LOGARITHIMIC AMPLIFIERS

PHOTOCELL AMPLIFIERS

SAMPLE AND HOLD CIRCUITS

ORDER CODES

Package

Temperature

Range

Part Number

•

LF355, LF356, LF357

LF255, LF256, LF257

LF155, LF156, LF157

Example : LF355N

0^oC, +70^oC

–40^oC, +105^oC

–55^oC, +125^oC

•

PIN CONNECTIONS (top view)

DESCRIPTION

These circuits are monolithic J-FET input operational

amplifiers incorporating well matched, high voltage

J-FET on the same chip with standardbipolar transis-

tors.

This amplifiers feature low input bias and offset cur-

rents, low input offset voltage and input offset voltage

drift,coupledwith offsetadjustwhichdoesnotdegrade

driftor common-mode rejection.

5 - Offset Null 2

6 - Output

7 - V_CC

1 - Offset Null 1

2 - Inverting input

3 - Non-inverting input

The devicesarealso designedforhigh slew rate, wide

bandwidth,extremelyfastsettlingtime,lowvoltageand

current noise and a low 1/f noise level.

8 - N.C.

4 - V_CC

July 1998

1/14

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与LF256N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LF256T	NXP	获取价格	Operational Amplifier, MBCY8
LF257	STMICROELECTRONICS	获取价格	WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS
LF257	NSC	获取价格	JFET Input Operational Amplifiers
LF257CD	STMICROELECTRONICS	获取价格	OP-AMP, 6200uV OFFSET-MAX, 20MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SOP-8
LF257CN	STMICROELECTRONICS	获取价格	OP-AMP, 6200uV OFFSET-MAX, 20MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
LF257D	STMICROELECTRONICS	获取价格	WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS
LF257H	NSC	获取价格	JFET Input Operational Amplifiers
LF257ID	STMICROELECTRONICS	获取价格	OP-AMP, 6200uV OFFSET-MAX, 20MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SOP-8
LF257M	ETC	获取价格	Voltage-Feedback Operational Amplifier
LF257N	STMICROELECTRONICS	获取价格	WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS

与LF256N相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

34
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

25
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LF256N

LF256N 技术参数

LF256N 数据手册

与LF256N相关器件

与LF256N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LF256N

LF256N 技术参数

LF256N 数据手册

与LF256N相关器件

与LF256N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？