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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 运算放大器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 622K | |
描述 | ||
Wide bandwidth single JFET operational amplifiers |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | PLASTIC, DIP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.39 |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.02 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0002 µA |
标称共模抑制比: | 70 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电流 (IIO): | 0.004 µA | 最大输入失调电压: | 13000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e3 |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
负供电电压上限: | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -15 V |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | +-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最小摆率: | 12 V/us |
标称压摆率: | 16 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 2.5 mA | 供电电压上限: | 18 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | NO |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 4000 kHz |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LF253 | STMICROELECTRONICS |
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WIDE BANDWIDTH DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
LF253AD | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF253AN | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF253BD | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF253BN | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF253D | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF253DT | STMICROELECTRONICS |
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Wide bandwidth dual JFET operational amplifiers | |
LF253H | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF253N | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF255 | NSC |
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Series Monolithic JFET Input Operational Amplifiers |