5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP14,.3 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.77 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.05 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0001 µA | 标称共模抑制比： | 100 dB |
| 频率补偿： | YES (AVCL>=5) | 最大输入失调电压： | 7000 µV |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.304 mm | 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | NO | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15/+-20 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 标称压摆率： | 50 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifiers | 最大压摆率： | 7 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 20000 kHz |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LF157J-8 | RENESAS |
获取价格 |
IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC |
|
| LF157-LF257-LF357 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LF157N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LF157T | NXP |
获取价格 |
Operational Amplifier, MBCY8 |
|
| LF159ES | MPD |
获取价格 |
Lowest Cost, Single Output 1W Ultra-Miniature SMT DC/DC Converters |
|
| LF15AB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
| LF15ABDT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
| LF15ABDT-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Very low drop voltage regulators with inhibit |
|
| LF15ABP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
| LF15ABPT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
