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LF147J/883

更新时间: 2024-10-18 12:21:35
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德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
18页 839K
描述
LF147QML Wide Bandwidth Quad JFET Input Operational Amplifier

LF147J/883 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-14针数:14
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.26Is Samacsys:N
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.05 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.0002 µA
最小共模抑制比:80 dB标称共模抑制比:80 dB
频率补偿:YES最大输入失调电流 (IIO):0.025 µA
最大输入失调电压:8000 µVJESD-30 代码:R-GDIP-T14
JESD-609代码:e0长度:19.94 mm
低-偏置:YES低-失调:NO
微功率:NO湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-22 V标称负供电电压 (Vsup):-20 V
功能数量:4端子数量:14
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP14,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE包装方法:TUBE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED功率:NO
电源:+-15 V可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:5.08 mm最小摆率:5 V/us
标称压摆率:13 V/us子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:11 mA供电电压上限:22 V
标称供电电压 (Vsup):20 V表面贴装:NO
技术:BIFET温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED标称均一增益带宽:4000 kHz
最小电压增益:25000宽带:NO
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

LF147J/883 数据手册

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LF147QML  
LF147QML Wide Bandwidth Quad JFET Input Operational Amplifier  
Literature Number: SNOSAI1  

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