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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CHIP CARRIER, S-PQCC-N5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-N5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LET21008 | STMICROELECTRONICS |
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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package |
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| LET21030C | STMICROELECTRONICS |
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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology |
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| LET8180 | STMICROELECTRONICS |
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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology |
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| LET9002 | STMICROELECTRONICS |
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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package |
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| LET9006 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package |
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| LET9045 | STMICROELECTRONICS |
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45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package |
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| LET9045S | STMICROELECTRONICS |
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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package |
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| LET9045STR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package |
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| LET9045TR | STMICROELECTRONICS |
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45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package |
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| LET9060C | STMICROELECTRONICS |
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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology |
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