Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> LET20015

LET20015

更新时间： 2024-09-15 22:31:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
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描述
RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package

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LET20015 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	PLASTIC, SMD, POWER, SO-10RF, 2 PIN	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	165 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

LET20015 数据手册

LET20015

RF POWER TRANSISTORS

Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package

TARGET DATA

Designed for GSM / EDGE / IS-97 applications

• EXCELLENT THERMAL STABILITY

• COMMON SOURCE CONFIGURATION

• P

= 15 W with 11 dB gain @ 2000 MHz

OUT

• ESD PROTECTION

PowerSO-10RF

(formed lead)

• IS-97 CDMA PERFORMANCES

OUT

= 2.5 W

ORDER CODE

BRANDING

LET90015

EFF. = 20 %

DESCRIPTION

PIN CONNECTION

The LET20015 is a common source N-Channel,

enhancement-mode lateral Field-Effect RF power

transistor. It is designed for high gain, broad band

commercial and industrial applications. It operates

at 26 V in common source mode at frequencies up

to 2 GHz. LET20015 boasts the excellent gain,

linearity and reliability of ST’s latest LDMOS

technology mounted in the first true SMD plastic RF

power package, PowerSO-10RF. LET20015’s

superior linearity performance makes it an ideal

solution for base station applications.

SOURCE

GATE

DRAIN

The PowerSO-10 plastic package, designed to offer

high reliability, is the first ST JEDEC approved, high

power SMD package. It has been specially

optimized for RF needs and offers excellent RF

performances and ease of assembly.

Mounting recommendations are available in

www.st.com/rf/ (look for application note AN1294)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25 ^°C)

CASE

Symbol

Parameter

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

(BR)DSS

-0.5 to +15

TBD

°C

DISS

Power Dissipation (@ Tc = 70 C)

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

165

-65 to +175

STG

THERMAL DATA (T

= 70 ^°C)

CASE

th(j-c)

Junction -Case Thermal Resistance

TBD

°C/W

February, 27 2003

1/5

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