Datasheet > LESD8L5.0CT5G

LESD8L5.0CT5G

更新时间： 2024-11-19 01:23:39

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	556K
描述
ESD Protection Diodes with Ultra-Low Capacitance

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LESD8L5.0CT5G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PBCC-N2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.7	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, ULTRA LOW CAPACITANCE
最小击穿电压：	5.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.15 W	参考标准：	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

LESD8L5.0CT5G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

LESD8L5.0CT5G

Transient Voltage

Suppressors

LESD8L5.0CT5G

S-LESD8L5.0CT5G

ESD Protection Diodes with Ultra−Low

Capacitance

The ESD8L is designed to protect voltage sensitive components that

require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage events.

Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast

response time, make these parts ideal for ESD protection on designs

where board space is at a premium. Because of its low capacitance, it is

suited for use in high frequency designs such as USB 2.0 high speed and

antenna line applications.

SOD882

Specification Features:

• Ultra Low Capacitance 0.5 pF

• ^{Low Clamping Voltage}

• Small Body Outline Dimensions:

0.039″ x 0.024″ (1.00 mm x 0.60 mm)

• Low Body Height: 0.020″ (0.5 mm)

• ^{Stand−off Voltage: 5 V}

• Low Leakage

• ^{Response Time is Typically < 1.0 ns}

• ^{IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection}

Ordering information

• This is a Pb−Free Device

Device

Marking

Shipping

• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

Qualified and PPAP Capable.

LESD8L5.0CT1G

LESD8L5.0CT3G

LESD8L5.0CT5G

5000/Tape&Reel

8000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

QUALIFIED MAX REFLOW TEMPERATURE:

Device Meets MSL 1 Requirements

260°C

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

IEC 61000−4−2 (ESD)

Contact

Air

Total Power Dissipation on FR−5 Board

°P °

150

(Note 1) @ T = 25°C

Storage Temperature Range

Junction Temperature Range

−55 to +150

−55 to +125

260

°C

stg

Lead Solder Temperature − Maximum

(10 Second Duration)

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.

Rev.C 1/4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与LESD8L5.0CT5G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LESD8L5.0T5G	LRC	获取价格	LESD8L5.0T5G/D LRC
LESD8LH5.0CT1G	LRC	获取价格	ESD Protection Diodes with Ultra-Low Capacitance
LESD8LH5.0CT3G	LRC	获取价格	ESD Protection Diodes with Ultra-Low Capacitance
LESD8LH5.0CT5G	LRC	获取价格	ESD Protection Diodes with Ultra-Low Capacitance
LESD8LH5.0CT5G	UMW	获取价格	反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Bidire
LESD9B5.0ST5G	LRC	获取价格	LESD9B5.0ST5G/M LRC
LESD9D12T5G	LRC	获取价格	LESD9D12T5G/H LRC
LESD9D3.3CT5G	LRC	获取价格	Transient Voltage Suppressors for ESD Protection
LESD9D3.3T5G	LRC	获取价格	ESD PROTECTION DIODE
LESD9D5.0CT5G	LRC	获取价格	Transient Voltage Suppressors for ESD Protection

与LESD8L5.0CT5G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LESD8L5.0CT5G

LESD8L5.0CT5G 技术参数

LESD8L5.0CT5G 数据手册

与LESD8L5.0CT5G相关器件

与LESD8L5.0CT5G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LESD8L5.0CT5G

LESD8L5.0CT5G 技术参数

LESD8L5.0CT5G 数据手册

与LESD8L5.0CT5G相关器件

与LESD8L5.0CT5G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？