5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | R-PBCC-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
| 最小击穿电压： | 5.6 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PBCC-N2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 174 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 参考标准： | IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-4 |
| 最大重复峰值反向电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LESD8D5.0T5G | LRC |
获取价格 |
LESD8D5.0T5G/G LRC |
|
| LESD8L3.3CT1G | LRC |
获取价格 |
LESD8L3.3CT1G/S LRC |
|
| LESD8L3.3CT3G | LRC |
获取价格 |
ESD Protection Diodes with Ultra-Low Capacitance |
|
| LESD8L3.3CT5G | LRC |
获取价格 |
ESD Protection Diodes with Ultra-Low Capacitance |
|
| LESD8L3.3T1G | LRC |
获取价格 |
LESD8L3.3T1G/P LRC |
|
| LESD8L3.3T3G | LRC |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressors ESD Protection |
|
| LESD8L5.0CT1G | LRC |
获取价格 |
LESD8L5.0CT1G/N LRC |
|
| LESD8L5.0CT3G | LRC |
获取价格 |
ESD Protection Diodes with Ultra-Low Capacitance |
|
| LESD8L5.0CT5G | LRC |
获取价格 |
ESD Protection Diodes with Ultra-Low Capacitance |
|
| LESD8L5.0T5G | LRC |
获取价格 |
LESD8L5.0T5G/D LRC |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
