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LDTD143ELT1G

更新时间： 2024-10-29 01:14:03
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 349K
描述
NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

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LDTD143ELT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)：47元件数量：1
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTD143ELT1G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTD143ELT1G  
S-LDTD143ELT1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
3
1
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
2
SOT-23  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
•
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
3
R1  
R2  
COLLECTOR  
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable  
1
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
EMITTER  
Supply voltage  
V
CC  
V
V
50  
−10 to +30  
500  
Input voltage  
V
IN  
Output current  
I
C
mA  
mW  
°C  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
D
200  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
°C  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
LDTD143ELT1G  
4.7  
E6  
4.7  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
S-LDTD143ELT1G  
LDTD143ELT3G  
S-LDTD143ELT3G  
E6  
4.7  
4.7  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Input voltage  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
V
V
I (off)  
I (on)  
−
3
−
−
V
CC=5V, I  
=0.3V, I  
/ I =50mA / 2.5mA  
=5V  
CC=50V, V  
=5V, I =50mA  
O
=100µA  
VO  
O
=20mA  
Output voltage  
Input current  
V
O (on)  
−
0.1  
−
0.3  
1.8  
0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O
I
I
I
−
V
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
I
O (off)  
−
−
I=0V  
G
I
47  
3.29  
0.8  
−
−
O
O
R1  
4.7  
1
6.11  
1.2  
−
kΩ  
−
−
−
R
/ R  
2 1  
Transition frequency  
f
T
∗
200  
MHz  
V
CE=10V, IE= −50mA, f=100MHz  
Characteristics of built-in transistor  
∗
Rev.O 1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LDTD143ELT1G_15 LRC

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