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LDTD114GLT1G

更新时间： 2024-10-29 01:14:03
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 338K
描述
NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

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LDTD114GLT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)：56元件数量：1
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTD114GLT1G 数据手册

 浏览型号LDTD114GLT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTD114GLT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTD114GLT1G  
S-LDTD114GLT1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
• Features  
3
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
2
SOT-23  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
•
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
3
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
COLLECTOR  
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.  
1
BASE  
R2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
EMITTER  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
50  
5
V
V
I
C
500  
mA  
mW  
C
P
C
200  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to+150  
C
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
LDTD114GLT1G  
_
E7  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
10  
S-LDTD114GLT1G  
LDTD114GLT3G  
S-LDTD114GLT3G  
_
E7  
10  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
−
−
50µA  
50  
50  
5
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=
1mA  
BVCEO  
C
=
BVEBO  
V
E
=
720µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
300  
−
56  
7
0.5  
580  
0.3  
−
13  
−
µA  
µA  
V
V
V
CB  
=50V  
Emitter cutoff current  
−
−
−
I
EB  
=
4V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
C/I  
B=  
V
I
I
50mA / 2.5mA  
hFE  
−
kΩ  
MHz  
C=  
50mA , VCE 5V  
=
Emitter-base resistance  
R2  
−
10  
∗
Transition frequency  
∗ Characteristics of built-in transistor.  
−
fT  
200  
VCE=10V , IE=−50mA , f=100MHz  
Rev.O 1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LDTD114GLT1G_15 LRC

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