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LDTD113ELT3G

更新时间： 2024-10-29 01:14:03
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 378K
描述
NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

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LDTD113ELT3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)：33元件数量：1
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTD113ELT3G 数据手册

 浏览型号LDTD113ELT3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTD113ELT3G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTD113ELT1G  
S-LDTD113ELT1G  
•
Applications  
Inverter, Interface, Driver  
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
3
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
1
2
SOT-23  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
•
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
3
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.  
R1  
R2  
COLLECTOR  
1
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
BASE  
2
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
EMITTER  
Supply voltage  
V
CC  
IN  
50  
−10 to +10  
500  
V
V
Input voltage  
V
Output current  
I
C
mA  
mW  
C
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Pd  
Tj  
200  
150  
Tstg  
−55 to +150  
C
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
LDTD113ELT1G  
S-LDTD113ELT1G  
E4  
1
1
1
1
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTD113ELT3G  
S-LDTD113ELT3G  
E4  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Input voltage  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
V
V
I(off)  
−
3
−
−
−
V
V
CC=5V, I  
=0.3V, I  
/I =50mA/2.5mA  
=5V  
CC=50V, V  
=5V, I =50mA  
O
=100µA  
I(on)  
−
O
O
=20mA  
V
O(on)  
0.1  
−
0.3  
7.2  
0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O I  
Output voltage  
Input current  
II  
V
V
V
I
I
O(off)  
−
I
=0V  
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
G
I
33  
−
O
O
R
1
0.7  
0.8  
−
1
1.3  
1.2  
−
kΩ  
−
−
−
R2  
/R  
1
1
fT  
∗
200  
MHz  
V
CE=10V, I = −50mA, f=100MHz  
E
Transition frequency  
Characteristics of built-in transistor  
∗
Rev.O 1/3  
123

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