5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > LDTD113ELT1G
LDTD113ELT1G PDF预览

LDTD113ELT1G

更新时间： 2024-10-29 01:14:03
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 378K
描述
NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

阅读下载

中文翻译

获取价格

LDTD113ELT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)：33元件数量：1
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTD113ELT1G 数据手册

 浏览型号LDTD113ELT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTD113ELT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTD113ELT1G  
S-LDTD113ELT1G  
•
Applications  
Inverter, Interface, Driver  
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
3
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
1
2
SOT-23  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
•
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
3
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.  
R1  
R2  
COLLECTOR  
1
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
BASE  
2
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
EMITTER  
Supply voltage  
V
CC  
IN  
50  
−10 to +10  
500  
V
V
Input voltage  
V
Output current  
I
C
mA  
mW  
C
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Pd  
Tj  
200  
150  
Tstg  
−55 to +150  
C
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
LDTD113ELT1G  
S-LDTD113ELT1G  
E4  
1
1
1
1
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTD113ELT3G  
S-LDTD113ELT3G  
E4  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Input voltage  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
V
V
I(off)  
−
3
−
−
−
V
V
CC=5V, I  
=0.3V, I  
/I =50mA/2.5mA  
=5V  
CC=50V, V  
=5V, I =50mA  
O
=100µA  
I(on)  
−
O
O
=20mA  
V
O(on)  
0.1  
−
0.3  
7.2  
0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O I  
Output voltage  
Input current  
II  
V
V
V
I
I
O(off)  
−
I
=0V  
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
G
I
33  
−
O
O
R
1
0.7  
0.8  
−
1
1.3  
1.2  
−
kΩ  
−
−
−
R2  
/R  
1
1
fT  
∗
200  
MHz  
V
CE=10V, I = −50mA, f=100MHz  
E
Transition frequency  
Characteristics of built-in transistor  
∗
Rev.O 1/3  
123

中文翻译

下载PDF

与LDTD113ELT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LDTD113ELT1G_15 LRC

获取价格

 		Bias Resistor Transistor
LDTD113ELT3G LRC

获取价格

 		NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
LDTD113ZLT1G LRC

获取价格

 		NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
LDTD113ZLT3G LRC

获取价格

 		NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
LDTD114ELT1 LRC

获取价格

 		Digital transistors (built-in resistors)
LDTD114ELT1G LRC

获取价格

 		Digital transistors (built-in resistors)
LDTD114GLT1G LRC

获取价格

 		NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
LDTD114GLT1G_15 LRC

获取价格

 		Bias Resistor Transistor
LDTD114GLT3G LRC

获取价格

 		NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
LDTD123ELT1 LRC

获取价格

 		Digital transistors

与LDTD113ELT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证