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LDTC144VET3G

更新时间： 2024-10-29 01:14:03
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 328K
描述
NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

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LDTC144VET3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：33元件数量：1
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTC144VET3G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTC144VET1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
3
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
SC-89  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
3
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
R1  
R2  
COLLECTOR  
1
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
EMITTER  
Supply voltage  
Input voltage  
V
CC  
IN  
50  
−10 to +40  
30  
V
V
V
IO  
mA  
Output current  
I
C(Max.)  
100  
Power dissipation  
P
D
200  
150  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
−55 to +150  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
M7  
47  
10  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTC144VET1G  
LDTC144VET3G  
M7  
47  
10  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
V
V
CC=5V , I  
=0.3V , I  
=10mA , I  
=5V  
CC=50V , V  
=5mA , V =5V  
O
=100µA  
V
I(off)  
I(on)  
−
6
−
−
1
Input voltage  
O
O
=2mA  
V
−
Output voltage  
Input current  
V
O(on)  
−
−
−
0.1  
−
0.3  
0.16  
0.5  
V
I
O
I=0.5mA  
I
I
mA  
µA  
I
V
V
I
O(off)  
−
I=0V  
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
G
I
33  
−
−
−
kΩ  
−
I
O
O
R
1
32.9  
47  
61.1  
−
R
2
/R  
1
0.17 0.21 0.26  
250  
−
Transition frequency  
f
T
∗
−
−
MHz  
V
CE=10V , I = −5mA , f=100MHz  
E
Characteristics of built-in transistor  
∗
1/3  
123

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