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LDTC143XLT3G

更新时间： 2024-10-28 03:50:47
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 372K
描述
Digital transistors (built-in resistors)

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LDTC143XLT3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A最小直流电流增益 (hFE)：30
元件数量：1极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

LDTC143XLT3G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Digital transistors (built-in resistors)  
!Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter  
circuit without connecting external input resistors (see the  
equivalent circuit).  
LDTC143XLT1G  
3
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have  
the advantage of almost completely eliminating parasitic  
effects.  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy.  
1
2
CASE 318, STYLE 21  
SOT– 23 (TO–236AB)  
!Structure  
NPN digital transistor (with built-in resistors)  
compliance with  
We declare that the material of product  
RoHS requirements.  
!
!Equivalent circuit  
ORDERING INFORMATION  
OUT  
R1  
Device  
Marking  
43  
Shipping  
IN  
R2  
3000 Tape & Reel  
10000 Tape & Reel  
LDTC143XLT1G  
LDTC143XLT3G  
GND  
OUT  
43  
IN  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
GND  
LDTC143XKALT1G  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Supply voltage  
Input voltage  
V
CC  
IN  
50  
−7~+20  
100  
V
V
V
I
O
Output current  
mA  
I
C(Max.)  
100  
200  
Power dissipation  
Pd  
mW  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55~+150  
°C  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
0.3  
−
Unit  
V
Conditions  
=100µA  
=20mA  
=10mA/0.5mA  
=5V  
CC=50V, V  
V
V
I(off)  
I(on)  
−
2.5  
−
V
CC=5V, I  
=0.3V, I  
/I  
O
Input voltage  
−
V
O
O
Output voltage  
Input current  
V
O(on)  
0.1  
−
0.3  
1.8  
0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O I  
II  
−
V
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
IO(off)  
−
−
I
=0V  
G
I
30  
3.29  
1.7  
−
−
O
=5V, I  
O
=10mA  
R1  
4.7  
2.1  
250  
6.11  
2.6  
−
kΩ  
−
−
−
R
2/R1  
Transition frequency  
f
T
MHz  
V
CE=10V, I  
E
=−5mA, f=100MHz  
∗
∗ Transition frequency of the device  
1/3  
12345

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