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LDTB123ELT1G

更新时间： 2024-10-29 01:12:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 313K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTB123ELT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)：39元件数量：1
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTB123ELT1G 数据手册

 浏览型号LDTB123ELT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTB123ELT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
PNP Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTB123ELT1G  
Applications  
•
S-LDTB123ELT1G  
Inverter, Interface, Driver  
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
3
1
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
2
SOT-23  
3) Only the on / off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
•
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
3
R1  
R2  
COLLECTOR  
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.  
1
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
EMITTER  
Supply voltage  
Input voltage  
V
CC  
V
V
−50  
−12 to +10  
V
IN  
Output current  
mA  
IC  
−500  
Power dissipation  
mW  
200  
150  
P
D
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
C
C
−55 to +150  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
LDTB123ELT1G  
K5  
2.2  
2.2  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
S-LDTB123ELT1G  
LDTB123ELT3G  
S-LDTB123ELT3G  
K5  
2.2  
2.2  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
CC= −5V, I = −100µA  
= −0.3V, I = −20mA  
/I = −50mA/−2.5mA  
= −5V  
CC= −50V, V  
V
I(off)  
I(on)  
−
−3  
−
V
O
Input voltage  
V
−
V
O
O
Output voltage  
Input current  
V
O(on)  
−0.1  
−
−0.3  
−3.8  
−0.5  
V
mA  
µA  
−
I
O I  
I
I
−
V
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
IO(off)  
−
−
I
=0V  
G
I
39  
1.54  
0.8  
−
−
O
= −5V, I  
O
= −50mA  
R
1
2.2  
1
2.86  
1.2  
−
kΩ  
−
−
−
R
2
/R  
1
fT  
∗
200  
MHz  
V
CE= −10V, I  
E
=
50mA, f  
=
100MHz  
Characteristics of built-in transistor  
∗
Rev.O 1/3  
123

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