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LDTA124TET3G

更新时间： 2024-10-29 01:12:35
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 276K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTA124TET3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：100元件数量：1
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTA124TET3G 数据手册

 浏览型号LDTA124TET3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTA124TET3G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
PNP Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTA124TET1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
3
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
SC-89  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
3
R1  
COLLECTOR  
1
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
BASE  
2
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
EMITTER  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
V
V
CBO  
V
V
V
−50  
−50  
−5  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
CEO  
EBO  
Collector current  
IC  
mA  
−100  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
mW  
°C  
150  
150  
Tj  
Tstg  
°C  
−55 to +150  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
P6  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTA124TET1G  
LDTA124TET3G  
22  
P6  
22  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
−50  
−50  
−5  
−
−
−
I
I
I
C
=−50µA  
=−1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
−
V
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
−
V
E
=−50µA  
CB=−50V  
EB=−4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−0.5  
−0.5  
−0.3  
600  
28.6  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Input resistance  
V
−
−
I
/I  
C B  
=−5mA/−0.5mA  
h
100  
15.4  
−
250  
22  
250  
−
V
CE=−5V, I  
C
=−1mA  
R1  
kΩ  
MHz  
−
Transition frequency  
fT  
∗
V
CE=−10V, IE=5mA, f=100MHz  
∗ Characteristics of built-in transistor  
1/3  
123

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