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LDTA115TET1G

更新时间： 2024-10-29 01:22:31
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 276K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTA115TET1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：100元件数量：1
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTA115TET1G 数据手册

 浏览型号LDTA115TET1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTA115TET1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
PNP Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTA115TET1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
3
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
SC-89  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
3
R1  
COLLECTOR  
1
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
BASE  
2
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
EMITTER  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−50  
−50  
−5  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
I
C
−100  
mA  
Collector current  
Collector Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
200  
150  
mW  
Tj  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
O8  
100  
-
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTA115TET1G  
LDTA115TET1G  
O8  
100  
-
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Parameter  
Min.  
−50  
−50  
−5  
Typ.  
Max.  
−
−
Unit  
Conditions  
BVCBO  
−
−
−
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
I
I
I
C
= −50µA  
= −1mA  
= −50µA  
CB= −50V  
EB= −4V  
BVCEO  
BVEBO  
C
V
V
−
E
−
−
−0.5  
I
CBO  
EBO  
µA  
µA  
V
V
−
−
I
−
−
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
−0.5  
−0.3  
V
CE(sat)  
FE  
I
C
/I = −1mA/−0.1mA  
B
V
DC current transfer ratio  
Input resistance  
−
h
100  
600  
130  
−
I
C
= −1mA , VCE= −5V  
250  
100  
250  
−
R
1
kΩ  
70  
−
Transition frequency  
∗Characteristics of built-in transistor  
CE= −10V , I  
E
=5mA , f=100MH  
Z
V
∗
fT  
MHZ  
1/3  
123

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