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LCE51TR

更新时间: 2024-02-16 01:55:24
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 1, 2 PIN

LCE51TR 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, CASE 1, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.68
Is Samacsys:N最大击穿电压:69.3 V
最小击穿电压:56.7 V击穿电压标称值:63 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:91.1 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.52 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:51 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

LCE51TR 数据手册

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