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LCE36A

更新时间: 2024-01-14 10:07:49
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

LCE36A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.78
最大击穿电压:48.9 V最小击穿电压:40 V
击穿电压标称值:44.45 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:64.3 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.52 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:36 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

LCE36A 数据手册

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