5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-MALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.57 |
| 其他特性： | LOW CAPACITANCE, LOW IMPEDANCE | 最大击穿电压： | 13.5 V |
| 最小击穿电压： | 12.2 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-13 |
| JESD-30 代码： | O-MALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LC11ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| LC11ATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 11V V(RWM), Unidirectional, |
|
| LC11B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13 |
|
| LC11E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| LC11E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| LC11TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| LC11TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 11V V(RWM), Unidirectional, |
|
| LC12 | MICROSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
|
| LC12 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| LC-12 | SUMIDA |
获取价格 |
General Power Transformer |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
