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LBSS138DW1T1G

更新时间： 2024-10-29 01:21:31

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乐山 - LRC		/
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6页	593K
描述
Power MOSFET200 mAmps, 50 Volts NâChannel SC-88

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LBSS138DW1T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.38 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

LBSS138DW1T1G 数据手册

LBSS138DW1T1G

S-LBSS138DW1T1G

Power MOSFET

200 mAmps, 50 Volts N–Channel SC-88

1. FEATURES

●

We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements and Halogen Free.

●

S- prefix for automotive and other applications requiring

unique site and control change requirements; AEC-Q101

qualified and PPAP capable.

SC88(SOT-363)

●

Low threshold voltage (VGS(th): 0.5V...1.5V) makes it ideal for low

voltage applications.

2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

LBSS138DW1T1G

LBSS138DW1T3G

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

VDSS

VGS

Limits

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–to–Source Voltage – Continuous

Drain Current

±20

Vdc

mAdc

– Continuous TA = 25°C

– Pulsed (tp≤10μs)

200

800

IDM

4. THERMAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Total Device Dissipation,

225

FR−5 Board (Note 1) @ TA = 25ºC

Derate above 25ºC

1.8

mW/ºC

ºC/W

Thermal Resistance,

RΘJA

556

Junction–to–Ambient(Note 1)

Junction and Storage temperature

Maximum Lead Temperature for Solder

Purposes, for 10 seconds

TJ,Tstg −55∼+150

TL 260

ºC

1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in.

Leshan Radio Company, LTD.

Rev.B Mar 2016

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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