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LBSS123LT3G

更新时间： 2024-10-29 04:20:55

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乐山 - LRC		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	99K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

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LBSS123LT3G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.17 A
最大漏极电流 (ID)：	0.17 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

LBSS123LT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

N-CHANNEL POWER MOSFET

LBSS123LT1

FEATURE

ƽ Pb-Free Package is available.

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

SOT-23

Device

Marking

Shipping

LBSS123LT1

3000/Tape&Reel

Drain

(Pb-Free)

LBSS123LT1G

LBSS123LT3

LBSS123LT3G

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

(Pb-Free)

Gate

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain–Source Voltage

DSS

100

Vdc

Source

Gate–Source Voltage

– Continuous

Vdc

Vpk

– Non–repetitive (t ≤ 50 µs)

GSM

Drain Current

Adc

Continuous (Note 1.)

Pulsed (Note 2.)

0.17

0.68

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR–5

Board (Note 3.)

225

= 25°C

1.8

556

mW/°C

°C/W

°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to

Ambient

qJA

Junction and Storage Temperature

T , T

J stg

–55 to +150

1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain

current.

2. Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.

3. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

LBSS123LT1–1/4

12 3 4

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