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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.9 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSS123-7-F | DIODES |
功能相似  |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2N7002K-7 | DIODES |
功能相似 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BSS123LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LBSS123LT3 | LRC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| LBSS123LT3G | LRC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| LBSS138DW1T1G | LRC |
获取价格 |
Power MOSFET200 mAmps, 50 Volts NâChannel S |
|
| LBSS138DW1T3G | LRC |
获取价格 |
Power MOSFET200 mAmps, 50 Volts NâChannel S |
|
| LBSS138LT1 | LRC |
获取价格 |
Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts N-hannel SOT-3 |
|
| LBSS138LT1G | LRC |
获取价格 |
Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts N-hannel SOT-3 |
|
| LBSS138V3.3T1G | LRC |
获取价格 |
Dual Integrated Circuit N-Channel/PN Duals |
|
| LBSS138V3.3T3G | LRC |
获取价格 |
Dual Integrated Circuit N-Channel/PN Duals |
|
| LBSS138V33T1G_15 | LRC |
获取价格 |
Dual Integrated Circuit |
|
| LBSS138WT1G | LRC |
获取价格 |
Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts |
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