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LBCW69LT1G

更新时间： 2024-10-28 05:41:31

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	339K
描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

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LBCW69LT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

LBCW69LT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

PNP Silicon

LBCW69LT1G

LBCW70LT1G

COLLECTOR

BASE

Featrues

EMITTER

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

MAXIMUM RATINGS

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Rating

Symbol

V _CEO

V _EBO

I _C

Value

– 45

Unit

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

– 5.0

– 100

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

°C/W

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

LBCW69LT1G = H1; LBCW70LT1G= H2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage (I_C= –2.0 mAdc, I_B= 0 )

Collector–Emitter Breakdown Voltage (I_C= –100 µAdc, V _EB= 0 )

Emitter–Base Breakdown Voltage (I _E= –10 µAdc, I _C= 0)

Collector Cutoff Current

V _(BR)CEO

V _(BR)CES

V _(BR)EBO

I _CEO

– 45

– 50

– 5.0

—

Vdc

(V_CE= –20 Vdc, I _E= 0 )

—

– 100

– 10

nAdc

(V_CE= –20 Vdc, I _E= 0 , T_A= 100°C)

1. FR– 5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

µAdc

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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LBCW70LT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon
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LBD101/3H3Y4G-XX-PF	LIGITEK	获取价格	LED Display
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