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LBC858BWT1G

更新时间： 2024-11-16 12:26:39
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乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

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LBC858BWT1G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：220JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHz

LBC858BWT1G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
General Purpose Transistors  
PNP Silicon  
LBC856AWT1G, BWT1G  
LBC857AWT1G, BWT1G  
CWT1G  
LBC858AWT1G, BWT1G  
These transistors are designed for general purpose  
amplifier applications. They are housed in the SOT–323/  
SC–70 which is designed for low power surface mount  
applications.  
CWT1G  
Features  
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
BC856  
–65  
BC857  
–45  
BC858  
–30  
Unit  
1
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V
2
–80  
–50  
–30  
V
V
SOT– 323 / SC-70  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
mAdc  
3
COLLECTOR  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
1
Symbol  
Max  
Unit  
BASE  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
P D  
150  
mW  
2
EMITTER  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
833  
°C/W  
°C  
T J , T stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
LBC856AWT1G= 3A; LBC856BWT1G= 3B; LBC857AWT1G= 3E; LBC857BWT1G = 3F;  
LBC857CWT1G= 3G;  
LBC858AWT1G= 3J; LBC858BWT1G= 3K; LBC858CWT1G= 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = –10 mA)  
– 65  
– 45  
– 30  
– 80  
– 50  
– 30  
– 80  
– 50  
– 30  
– 5.0  
– 5.0  
– 5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
LBC856 Series  
V (BR)CEO  
V (BR)CES  
V (BR)CBO  
v
v
v
v
LBC857 Series  
LBC858 Series  
—
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
—
LBC856 Series  
LBC857B Only  
LBC858 Series  
(IC = –10 µA, VEB = 0)  
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage  
—
LBC856 Series  
LBC857 Series  
LBC858 Series  
(IC = – 10 µA)  
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
LBC856 Series  
—
LBC857 Series  
LBC858 Series  
(IE = – 1.0 µA)  
V (BR)EBO  
—
—
Collector Cutoff Current (VCB = – 30 V)  
(VCB = – 30 V, TA = 150°C)  
– 15  
– 4.0  
nA  
I CBO  
—
µA  
1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in  
Rev.O 1/6  
123456

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