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LBC856BLT1G

更新时间： 2024-11-16 11:39:51
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 147K
描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

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LBC856BLT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：65 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：220
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

LBC856BLT1G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
General Purpose Transistors  
PNP Silicon  
LBC856ALT1  
Series  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating – Human Body Model: >4000 V  
ESD Rating – Machine Model: >400 V  
• Pb-Free Packages are Available  
3
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
LBC856  
LBC857  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–65  
–45  
–30  
V
SOT–23  
LBC858, LBC859  
Collector-Base Voltage  
LBC856  
LBC857  
–80  
–50  
–30  
V
3
COLLECTOR  
LBC858, LBC859  
1
Emitter–Base Voltage  
–5.0  
V
BASE  
Collector Current – Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
–100  
mAdc  
C
2
EMITTER  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
P
D
(Note 1.) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
MARKING DIAGRAM  
Derate above 25°C  
3
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
R
556  
°C/W  
qJA  
xx  
Total Device Dissipation Alumina  
Substrate, (Note 2.) T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
xx= Device Marking  
(See Table Below)  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
417  
°C/W  
qJA  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J stg  
–55 to  
+150  
°C  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
LBC856ALT1S-1/7  
1234567

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