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LBC856AWT3G

更新时间： 2024-11-17 01:20:55

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乐山 - LRC		放大器光电二极管晶体管
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描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

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LBC856AWT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz

LBC856AWT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

PNP Silicon

LBC856AWT1G, BWT1G

LBC857AWT1G, BWT1G

CWT1G

LBC858AWT1G, BWT1G

These transistors are designed for general purpose

amplifier applications. They are housed in the SOT–323/

SC–70 which is designed for low power surface mount

applications.

CWT1G

Features

We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements.

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

BC856

–65

BC857

–45

BC858

–30

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

–80

–50

–30

SOT– 323 / SC-70

–5.0

–100

–5.0

–100

–5.0

–100

mAdc

COLLECTOR

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

BASE

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

150

EMITTER

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

833

°C/W

°C

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

LBC856AWT1G= 3A; LBC856BWT1G= 3B; LBC857AWT1G= 3E; LBC857BWT1G = 3F;

LBC857CWT1G= 3G;

LBC858AWT1G= 3J; LBC858BWT1G= 3K; LBC858CWT1G= 3L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= –10 mA)

– 65

– 45

– 30

– 80

– 50

– 30

– 80

– 50

– 30

– 5.0

—

LBC856 Series

V _(BR)CEO

V _(BR)CES

V _(BR)CBO

LBC857 Series

LBC858 Series

—

Collector–Emitter Breakdown Voltage

—

LBC856 Series

LBC857B Only

LBC858 Series

(I_C= –10 µA, V_EB= 0)

—

Collector–Base Breakdown Voltage

—

LBC856 Series

LBC857 Series

LBC858 Series

(I_C= – 10 µA)

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

LBC856 Series

—

LBC857 Series

LBC858 Series

(I_E= – 1.0 µA)

V _(BR)EBO

—

Collector Cutoff Current (V_CB= – 30 V)

(V_CB= – 30 V, T_A= 150°C)

– 15

– 4.0

I _CBO

—

µA

1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in

Rev.O 1/6

12 3 4 5 6

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