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LBC849BLT1G

更新时间： 2024-11-16 11:39:51

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	135K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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LBC849BLT1G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

LBC849BLT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

LBC846ALT1

Series

• Moisture Sensitivity Level: 1

• ESD Rating – Human Body Model: >4000 V

ESD Rating – Machine Model: >400 V

• Pb-Free Packages are Available

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

Vdc

SOT–23

LBC846

LBC847, LBC850

LBC848, LBC849

Collector–Base Voltage

Vdc

COLLECTOR

LBC846

LBC847, LBC850

LBC848, LBC849

BASE

Emitter–Base Voltage

LBC846

LBC847, LBC850

LBC848, LBC849

6.0

5.0

EMITTER

Collector Current – Continuous

100

mAdc

MARKING DIAGRAM

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR–5 Board

(Note 1.)

225

= 25°C

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

°C/W

xx= Device Marking

(See Table Below)

Thermal Resistance,

Junction to Ambient (Note 1.)

556

qJA

Total Device Dissipation

Alumina Substrate (Note 2.)

300

= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction to Ambient (Note 2.)

417

qJA

Junction and Storage

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to

+150

°C

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

LBC846ALT1S-1/6

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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