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LBC847BPDW1T3G

更新时间： 2024-09-30 01:05:23
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC /
页数 文件大小 规格书
9页 169K
描述
Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals (Complimentary)

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LBC847BPDW1T3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：200最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN/PNP最大功率耗散 (Abs)：0.38 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

LBC847BPDW1T3G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Dual General Purpose Transistors  
NPN/PNP Duals (Complimentary)  
LBC846BPDW1T1G  
LBC847BPDW1T1G  
LBC847CPDW1T1G  
LBC848BPDW1T1G  
LBC848CPDW1T1G  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is  
designed for low power surface mount applications.  
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Marking  
Shipping  
6
5
LBC846BPDW1T1G  
LBC846BPDW1T3G  
LBC847BPDW1T1G  
LBC847BPDW1T3G  
LBC847CPDW1T1G  
3000 Units/Reel  
10000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
BB  
BB  
BF  
4
1
2
3
BF  
10000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
BG  
BG  
BK  
10000 Units/Reel  
LBC847CPDW1T3G  
LBC848BPDW1T1G  
LBC848BPDW1T3G  
SOT 363/SC-88  
3000 Units/Reel  
10000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
10000 Units/Reel  
CASE 419B STYLE 1  
BK  
3
2
1
LBC848CPDW1T1G  
LBC848CPDW1T3G  
BL  
BL  
MAXIMUM RATINGS  
-NPN  
Q1  
Q2  
Rating  
Symbol LBC846 LBC847 LBC848 Unit  
Collector  
-
Emitter Voltage  
Base Voltage  
Base Voltage  
V
V
V
65  
80  
45  
50  
30  
30  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
Collector  
-
4
6
5
Emitter  
-
6.0  
100  
6.0  
100  
5.0  
100  
V
DEVICE MARKING  
Collector Current Ð  
Continuous  
I
C
mAdc  
MAXIMUM RATINGS  
-PNP  
Rating  
Symbol LBC846 LBC847 LBC848 Unit  
See Table  
Collector  
-
Emitter Voltage  
Base Voltage  
Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
-
65  
-
45  
50  
-
30  
30  
V
V
V
Collector  
-
-80  
-
-
Emitter  
-
-
5.0  
-
5.0  
-
5.0  
Collector Current Ð  
Continuous  
I
C
-
100  
-
100  
-100 mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
mW  
Total Device Dissipation  
P
D
380  
250  
Per Device  
(1)  
FR-5 Board  
T
= 25˚C  
A
Derate Above 25˚C  
3.0  
mW/˚C  
˚C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
θJA  
328  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
-55 to +150  
˚C  
1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
Rev.O 1/9  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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