5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > LBC847BLT3G
LBC847BLT3G PDF预览

LBC847BLT3G

更新时间： 2024-11-17 00:57:59
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 573K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

LBC847BLT3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

LBC847BLT3G 数据手册

 浏览型号LBC847BLT3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LBC847BLT3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LBC847BLT3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LBC847BLT3G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LBC847BLT3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LBC847BLT3G的Datasheet PDF文件第7页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
General Purpose Transistors  
NPN Silicon  
LBC846ALT1G  
Series  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating – Human Body Model: >4000 V  
ESD Rating – Machine Model: >400 V  
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.  
•
3
1
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
Collector–Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
SOT–23  
LBC846  
65  
45  
30  
LBC847, LBC850  
LBC848, LBC849  
3
Collector–Base Voltage  
Vdc  
Vdc  
COLLECTOR  
LBC846  
LBC847, LBC850  
LBC848, LBC849  
80  
50  
30  
1
BASE  
Emitter–Base Voltage  
LBC846  
LBC847, LBC850  
LBC848, LBC849  
6.0  
6.0  
5.0  
2
EMITTER  
Collector Current – Continuous  
I
C
100  
mAdc  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
3
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
(Note 1.)  
P
D
225  
mW  
xx  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
1
2
xx= Device Marking  
(See Table Below)  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1.)  
R
556  
qJA  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate (Note 2.)  
P
D
300  
mW  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 2.)  
R
417  
qJA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to  
+150  
°C  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Rev.O 1/13  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

与LBC847BLT3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LBC847BPDW1T1 LRC

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals (Complimentary)
LBC847BPDW1T1G LRC

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
LBC847BPDW1T3G LRC

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals (Complimentary)
LBC847BTT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC847BTT1G_15 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors
LBC847BWT1 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC847BWT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC847BWT3G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC847C LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC847CDW1T1 LRC

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors NPN Duals

与LBC847BLT3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证