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LBC847AWT3G

更新时间： 2024-11-17 00:48:55

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乐山 - LRC		/
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6页	284K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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LBC847AWT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	110
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

LBC847AWT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

LBC846AWT1G

Series

• ^{Moisture Sensitivity Level: 1}

• ^{ESD Rating – Human Body Model: >4000 V}

ESD Rating – Machine Model: >400 V

We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

•

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

Vdc

SOT–323 /SC–70

LBC846

LBC847, LBC850

LBC848, LBC849

Collector–Base Voltage

Vdc

COLLECTOR

LBC846

LBC847, LBC850

LBC848, LBC849

BASE

Emitter–Base Voltage

LBC846

LBC847, LBC850

LBC848, LBC849

6.0

5.0

EMITTER

Collector Current – Continuous

100

mAdc

MARKING DIAGRAM

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR–5 Board

(Note 1.)

150

= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

xx= Device Marking

(See Table Below)

Thermal Resistance,

Junction to Ambient (Note 1.)

833

qJA

Junction and Storage

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to

+150

°C

1/6

12 3 4 5 6

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