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LBC847AWT1G

更新时间： 2024-09-28 12:26:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 550K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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LBC847AWT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：110
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

LBC847AWT1G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
GeneralPurposeTransistors  
NPN Silicon  
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.  
LBC846AWT1G,BWT1G  
LBC847AWT1G,BWT1G  
)
(
–
Pb Free  
ORDERING INFORMATION  
CWT1G  
LBC848AWT1G,BWT1G  
CWT1G  
Device  
Package  
SC-70  
Shipping  
LBC846AWT1G  
3000/Tape&Reel  
10000/Tape&Reel  
LBC846AWT3G  
SC-70  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
3
Symbol  
BC846  
65  
BC847  
BC848  
30  
Unit  
V
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
45  
50  
1
2
80  
30  
V
6.0  
6.0  
100  
5.0  
V
SOT–323 /SC–70  
Collector Current — Continuous  
100  
100  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
3
COLLECTOR  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P D  
150  
mW  
1
BASE  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
833  
°C/W  
°C  
2
T J , T stg  
–55 to +150  
EMITTER  
DEVICE MARKING  
LBC846AWT1G = 1A; LBC846BWT1G = 1B; LBC847AWT1G = 1E; LBC847BWT1G = 1F;  
LBC847CWT1G = 1G; LBC848AWT1G = 1J; LBC848BWT1G = 1K; LBC848CWT1G = 1L;  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = 10 mA)  
LBC846 Series  
LBC847 Series  
LBC848 Series  
65  
45  
30  
80  
50  
30  
80  
50  
30  
6.0  
6.0  
5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15  
5.0  
V (BR)CEO  
V (BR)CES  
V (BR)CBO  
v
v
v
v
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
LBC846 Series  
LBC847 Series  
LBC848 Series  
(IC = 10 µA, VEB = 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
LBC846 Series  
LBC847 Series  
LBC848 Series  
(IC = 10 µA)  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
LBC846 Series  
LBC847 Series  
LBC848 Series  
(IE = 1.0 µA)  
V (BR)EBO  
Collector Cutoff Current (VCB = 30 V)  
nA  
I CBO  
(VCB = 30 V, TA = 150°C)  
—
µA  
1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in  
Rev.O 1/9  
1234567...9

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LBC847AWT1G 替代型号

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