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LBC847AWT1

更新时间： 2024-10-28 11:39:51

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乐山 - LRC		晶体晶体管
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5页	154K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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LBC847AWT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

LBC847AWT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

NPN Silicon

–

Pb Free Package May be Available. The G.Suffix Denotes a

–

Pb Free Lead Finish

LBC846AWT1,BWT1

LBC847AWT1,BWT1

CWT1

)

(

–

ORDERING INFORMATION Pb Free

Device

Package

Shipping

LBC848AWT1,BWT1

CWT1

3000/Tape & Reel

LBC846AWT1G,BWT1G

SOT-323

LBC847AWT1G,BWT1G,CWT1G

LBC848AWT1G,BWT1G,CWT1G

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

BC846

BC847

BC848

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

6.0

100

6.0

5.0

SOT–323 /SC–70

100

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

COLLECTOR

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

150

BASE

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

833

2.4

°C/W

mW/°C

°C

EMITTER

Junction and Storage Temperature

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

LBC846AWT1 = 1A; LBC846BWT1 = 1B; LBC847AWT1 = 1E; LBC847BWT1 = 1F;

LBC847CWT1 = 1G; LBC848AWT1 = 1J; LBC848BWT1 = 1K; LBC848CWT1 = 1L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 mA)

LBC846 Series

LBC847 Series

LBC848 Series

6.0

5.0

—

5.0

V _(BR)CEO

V _(BR)CES

V _(BR)CBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

LBC846 Series

LBC847 Series

LBC848 Series

(I_C= 10 µA, V_EB= 0)

Collector–Base Breakdown Voltage

LBC846 Series

LBC847 Series

LBC848 Series

(I_C= 10 µA)

Emitter–Base Breakdown Voltage

LBC846 Series

LBC847 Series

LBC848 Series

(I_E= 1.0 µA)

V _(BR)EBO

Collector Cutoff Current (V_CB= 30 V)

I _CBO

(V_CB= 30 V, T_A= 150°C)

—

µA

1.FR–5=1.0 x 0.75 x 0.062in

K5–1/5

12 3 4 5

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